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IRF3205 - F3205 N-MOSFET 55V 110A 200W

2,06
93316
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Beschreibung

Produktkategorie: MOSFET
Technologie: Yes
Montageart: Through Hole
Gehäuse: TO-220-3
Anzahl der Kanäle: 1 Channel
Transistor Polarity : N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung: 55 V
Id - Dauer-Drain-Strom: 110 A
Rds On - Drain-Source-Ein-Widerstand: 8 mOhm
Vgs - Gate-Source-Spannung: 20 V
Minimale Arbeitstemperatur: - 55 C
Maximale Arbeitstemperatur: + 175 C
Pd - Verlustleistung: 200 W
Konfiguration: Einfach
Kanalmodus: Verbesserung
Höhe: 15,65 mm Länge: 10 mm
Transistortyp: 1 N-Kanal
Breite: 4,4 mm
Abfallzeit : 65 ns
Produkttyp: MOSFET
Anstiegszeit: 101 ns
Unterkategorie: MOSFETs
Typische Einschaltverzögerung: 50 ns
Typische Einschaltverzögerung: 14 ns
Stückgewicht: 6 g

Anhänge

Datasheet (irf3205.pdf, 98 Kb) [Herunterladen]

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